ドリフト電流、拡散電流とアインシュタインの関係式の導出

図1は平衡状態にある半導体pn接合のエネルギーバンド図を示している。x軸は接合界面に垂直であり、伝導帯底および価電子帯頂上における電子のエネルギーはそれぞれEc(x),Ev(x)で表される。半導体の禁制帯幅EG、伝導帯の有効状態密度Ncおよび価電子帯の有効状態密度NVは位置によらず一定である。温度はT、フェルミ準位はEF、ボルツマン定数はkB、素電荷はqである。以下の問いに答えよ。

(1)位置xにおける電子密度n(x)を表す式を示せ。

半導体中における電子の拡散係数をDe、ドリフト移動度をμeとする。

(2)位置xにおいて電子の拡散に伴う電流密度を求めよ。
(3)位置xにおいて電子のドリフトに伴う電流密度を求めよ。
(4)Deμeの間に成り立つ関係式を求めよ。

東北大学 電気情報系院試 2020/3月 電子工学より抜粋 一部の問題を省略

拡散電流とドリフト電流の違い

過去の記事で詳しく解説していますが、ここでも簡潔に説明します。

拡散電流とは

キャリア濃度に分布があるとき、その濃度差を埋めるように流れる電流です。電流値は、濃度勾配に比例し、下記の式で表すことができます。

(1)ID=qDedn(x)dx

ドリフト電流とは

電場によって電子が動く現象を意味しています。電磁気学でよくある荷電粒子の運動の半導体バージョンですね。

下記の式で表すことができます。

(2)Iμ=qn(x)μeE

電界とドリフト電流の関係

上式だけ見ると、無制限に電場Eを大きくすれば、それだけ移動度が上がるように見えます。

しかし、実際はそうなりません。

電場を大きくすると、電子の速度は大きくなりますが、その分半導体結晶中の格子と衝突する時間が短くなります。

よって、電場を大きくすると、衝突によりエネルギー損失が大きくなるので、思ったより速度は大きくなりません。

解答例

(1)電子密度

過去の記事より

(3)n(x)=Ncexp(Ec(x)EfkBT)

※初見だったとしても、上記の式は暗記しておかなければなりません。伝導帯の底にフェルミ準位を引いてexpを取る。Ncを乗する。と覚えましょう。

(2)拡散電流の式

前章より、拡散電流密度は(1)式で表すことができる。これを変形し

(4)iD=qDedn(x)dx=qDedV(x)dxdn(x)dV(x)

(3)式について、Ec(x)=qVc,Ef=qVf(x)なので

(5)iD=q2DekBTn(x)dV(x)dx

(3)ドリフト電流の式

(2)式より

(6)iμ=qμen(x)E

E=dV(x)dxをこれに代入して

(7)iμ=qμen(x)dV(x)dx

(4)拡散電流とドリフト電流から導かれる関係式

平衡状態のとき、(5)=(7)なので

(8)qDekBT=μeDe=μekBTq

これをアインシュタインの関係式と言います。

最後に

本問は、意外と院試で出題されたりします。平衡状態では、拡散電流とドリフト電流が等しいことがキーですので、与えられた文字を駆使して計算練習していきましょう。

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