電磁波(TE波、TM波)の反射係数、透過係数とスネルの法則、ブリュースター角の導出

問題

媒質1から媒質2へ電磁波が斜めに入射する。
(1)電場Eが境界面に対して平行であるTE波
(2)磁場Hが境界面に対して平行であるTM波

上記2通りについて、境界条件が成立するときのθi,θrの関係。反射係数、透過係数をそれぞれ求めよ。

また、(2)TM波について、μ1=μ2で反射係数が0になるときのθiを求めよ。

はじめに

本問は、計算がしんどいです。電磁波の入射方向、電場の向き、磁場の向きにそれぞれ気を付けて立式していかないと、たちまち計算ミスします。

電磁波の式の見方については、過去の記事で紹介しました。本問では、これを参考にしながら解いていきます。

どちらかと言うと、理学部の院試に出てきやすい問題です。関係者は、本問が参考になると幸いです。

他サイトでは、途中の計算過程を端折りがちですが、本記事では省略することなく記載していきます。

だいぶ長文になりましたので、必要な部分だけ確認することをオススメします。

本記事で覚えたいこと

  1. 入射波、反射波、透過波それぞれの式を電場、磁場に対して記載する
  2. 境界条件により、yz平面に平行な成分の(入射波+反射波)=透過波の関係を電場、磁場に対して適用する。
  3. 反射係数R=ErEi、透過係数T=EtEiと、入射波に対する比を取り、各係数を求める。

例えばですが、TE波の入射波の電場成分は、図1よりz成分しかないです。このため、下記の式で表すことができます。

(1)Ezi=Eiexp(jk1(ysinθi+xcosθi))

exp項以前は、電場の成分で符号を合わせます。図1より電場は+z方向を向いているので負は付きません。

exp項内部は、電磁波の進行方向を示します。xy平面上で斜め入射しているため、成分分解して+y方向はysinθ、+x方向はxcosθで表すことができます。

仮に反射波だったとすると、図1より、電磁波の進行方向(x成分)は負を向いています。よって、exp項内部は、(ysinθixcosθi)と、x成分は負になります。

入射波だけでなく反射波、透過波についても同様に立式します。その後、境界条件を取れば透過係数、反射係数を求めることができます。

解答例

(1)前半 TE波の性質 (スネルの法則)

与えられた図から、入射波は以下の式で表すことができる。

(2){Ezi=Eiexp(jk1(ysinθi+xcosθi))Hxi=Hisinθiexp(jk1(ysinθi+xcosθ2))Hyi=Hicosθiexp(jk1(ysinθi+xcosθ2))

反射波についても、下記の式で表すことができる。

(3){Ezr=Erexp(jk1(ysinθr+xcosθr))Hxi=Hisinθiexp(jk1(ysinθi+xcosθ2))Hyi=Hicosθiexp(jk1(ysinθi+xcosθ2))

透過波についても、下記の式で表すことができる。

(4){Ezt=Etexp(jk2(ysinθt+xcosθt))Hxt=Htsinθtexp(jk2(ysinθt+xcosθ2))Hyt=Htcosθtexp(jk2(ysinθt+xcosθt))

境界条件により、x=0で電場Eと磁場Hの接線成分は連続。

(5){Eyi+Eyr=EytHzi+Hzr=Hztだから、()~()にx=0を代入して

(6){Eiexp(jk1ysinθi)+Erexp(jk1ysinθr)=Etexp(jk2ysinθt)Hicosθiexp(jk1ysinθi)+Hrcosθrexp(jk1ysinθr)=Htcosθtexp(jk2ysinθt)

任意のyに対し上記の式が成立するためには、EHともにexp項の内部に注目し

(7)k1ysinθi=k1ysinθr=k2ysinθt

(8){θi=θrk1sinθi=k2sinθt

の条件が成立する必要がある。(スネルの法則)

(1)後半 TE波の反射係数、透過係数

任意のHに対し、

(9)E=HZの条件を適用する。(Zは媒質中の固有インピーダンス。

(10){Eyi+Eyr=EytEiErZ1cosθi=EtZ2cosθt

(11)EiErZ1cosθi=Ei+ErZ2cosθt(12)(cosθiZ1cosθtZ2)Ei=(cosθiZ1+cosθtZ2)Er(13)RTE=ErEi=(cosθiZ1cosθtZ2)(cosθiZ1+cosθtZ2)(14)=Z2cosθiZ1cosθtZ2cosθi+Z1cosθt

透過係数についても、同様にして

(15)Ei(Ei+Et)Z1cosθi=EtZ2cosθt(16)2Z2Eicosθi=Z1Etcosθi+Z2Etcosθt(17)TTE=EtEi=2Z2cosθiZ2cosθi+Z1cosθt

※反射”係数” と 透過”係数”の合計値は1になりません。だから、TTE=1RTEと計算することなく、それぞれ定義に基づいて解答しています。(間違いやすい)

(2)前半 TM波の性質(スネルの法則)

基本的にTE波と同様にして、解くことができます。

ですので、前半は見る必要が無いかもしれません。

ただし、μ1=μ2のとき、TM波特有の現象を導くことができます。(ブリュースター角)

ページ下部にありますので、そこだけでもご覧ください。

<入射波>

(18){Exi=Eisinθiexp(jk1(ysinθi+xcosθi))Eyi=Eicosθiexp(jk1(ysinθi+xcosθi))Hzi=Hiexp(jk1(ysinθi+xcosθi))

<反射波>

(19){Exr=Ersinθrexp(jk1(ysinθr+xcosθr))Eyr=Ercosθrexp(jk1(ysinθrxcosθr))Hzr=Hrexp(jk1(ysinθrxcosθr))

<透過波>

(20){Ext=Etsinθtexp(jk2(ysinθt+xcosθt))Eyt=Etcosθtexp(jk2(ysinθt+xcosθt))Hzt=Htexp(jk2(ysinθt+xcosθt))

境界条件により、x=0で電場Eと磁場Hの接線成分は連続。

(21){Eicosθiexp(jk1ysinθi)Ercosθrexp(jk1ysinθr)=Etcosθiexp(jk2ysinθt)Hiexp(jk1ysinθi)+Hrexp(jk1ysinθr)=Htexp(jk1ysinθt)

任意のyに対し上記の式が成立するためには、EHともにexp項の内部に注目し

(22)k1ysinθi=k1ysinθr=k2ysinθt

(23){θi=θrk1sinθi=k2sinθt

の条件が成立する必要がある。(スネルの法則)

TM波についても同じく証明することができました。

(2)後半 TM波の反射係数、透過係数 (ブリュースター角)

TE波と同様にして、境界条件は

(24){(EiEr)cosθi=EtcosθiEi+ErZ1=EtZ2

第2式より、

(25)Et=Z2Z1(Ei+Er)

これを第1式に代入して

(26)(EiEr)cosθi=Z2Z1(Ei+Er)(27)(cosθiZ2Z1cosθt)Ei=(cosθi+Z2Z1cosθt)Er(28)RTM=ErEi=Z1cosθiZ2cosθtZ1cosθ+Z2cosθt

透過波についても同様にして、第2式から

(29)Er=Ei+Z1Z2Et

これを第1式に代入し

(30)(Ei+EiZ1Z2Et)cosθi=Etcosθt(31)TTM=EtEi=2Z2cosθiZ1cosθi+Z2cosθt

(2)最後 ブリュースター角

スネルの法則より、

(32)sinθt=k1k2sinθi

波数kは下記のように表すことができる。

(33)k1=ωε1μ1(34)k2=ωε2μ2

μ1=μ2より、

(35)k1k2=ε1ε2sinθi

三角関数の定義により

(36)cosθt=1sin2θt=1ε1ε2sin2θi

これを反射係数の式に代入し

(37)RTM=Z1cosθiZ21εε2sinθiZ1cosθi+Z21ε1ε2sinθi

これが0になれば良いので、分子に注目し

(38)Z12cos2θi=Z22(1ε1ε2sin2θi)

Z1=μ1ε1,Z2=μ2ε2で、μ1=μ2

(39)1+tan2θ=1cos2θ

なので

(40)1ε1=1ε2(1+tan2θε1ε2tan2θ1)(41)ε2ε1ε2tan2θ=ε2ε1ε1(42)tan2θi=ε2ε1

のとき、反射係数が0になることが分かった。これをブリュースター角と言う。

最後に

計算量が非常に多いですが、やることとしてはワンパターンです。是非何度も練習して自分のものにしてください。

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