ビオサバールの法則の計算、アンペールの法則の適用可能条件

問題

(1)下記のように、半直線C1,C3と半円C2に電流が流れている。
半円の中心軸上の磁束密度Bを求めよ。
(2)下記の導体で、アンペールの法則を適用できる条件はどれか。全て答えよ。
なお、円環電流及びソレノイドには電流Iが流れているとし、無限長ソレノイドの電流密度をJとする。
(a) 半径aの円環電流
(b) 半径a、半径bの無限長導体に挟まれている点P
(c) 内半径a、外半径b、高さ1、巻き数Nの環状ソレノイド
(d) 半径aの導体の中心からy方向にd離れた位置に半径bの穴が開いた無限長導体

はじめに

磁束密度を求める際、ビオサバールの法則とアンペールの法則を用いたことがあると思います。

問題経験が増えてくると、問題を解くことがパターン化し、無意識のうちに両者を使い分けている人が多いです。

ですが、計算していく上で気を付けなければならないことがあります。

本記事で覚えたいこと

ビオサバールの法則の内容と注意点
  1. dB=μ04πIds×rr2で与えられ、電流ベクトルdsと目標とする地点Pへのベクトルrの外積で求められる
  2. 電流ベクトルと目標点Pが同じベクトルの向きの場合、外積=0である。このため、磁場は発生しない。

2.が本記事で主張したいことです。

1.の式の定義から明らかですが、スカラーに変換した式で向きを無視し、機械的に計算すると間違った結果になってしまいます。

逆に、これさえ気を付ければ、後は計算ミスに気を付けるのみです。

アンペールの法則の内容と適用可能条件
  • CBds=μ0Iで表される。
  • 取る閉路C上の磁場が一定の場合、適用可能

アンペールの法則の法則の意味は以下になります。

取った閉路上の磁場が一定値ならば、閉路内に存在する電流値を閉路の長さで割った値が磁場Hに等しい。

ですので、閉路C上にある磁場が一定値であることが重要になります。本問では、どの場合が当てはまるのでしょうか。

解答例

(1) ビオサバールの法則

電流ベクトルと点Pに対する向きが同じのため、積分路C1,C3から発生する磁束密度は0。

半円積分路C2から発生する磁束密度を考える。

微小線分から発生する磁場は

(1)dB=μ0Ia4πa2dθ

これを区間0θπで積分し

(2)B=0πμ0I4πadθ=μ0I4a

(2)アンペールの法則

(a)半径aの円環電流から発生する磁場

点P周りに閉路を取ったとき、半径方向の磁場分布が区間によって異なる。

対称な磁場分布とならないため、アンペールの法則は適用できない。

ビオサバールの法則で磁束密度を求める。式(4)の積分範囲を2πに換算すれば良いので

(3)B=μ0I2a

(b)半径a、半径bの無限長導体に挟まれている点P

無限長導体のため、アンペールの法則を適用可能。

(4)B=μ0a2J2x+μ0a2J2(cx)

※有限長ソレノイドの場合はアンペールの法則を適用できません。(a)の円環電流の計算を巻き数分適用する必要があります。

(c) 内半径a、外半径b、高さ1、巻き数Nの環状ソレノイド

環状ソレノイド内は対称な磁場分布となるため、アンペールの法則を適用可能。

(5)B=μ0NI2πr

(d) 半径aの導体の一部に半径bの穴が開いた無限長導体

これは特殊ケースです。

以前の記事でも紹介しましたが、穴の開いた導体から発生する磁場を計算する際は、以下の考え方を利用します。

  1. 穴の無い場合で求めたいパラメータを算出する
  2. 穴のある部分を、物理量を逆にし求めたいパラメータを算出する

この考えを適用すると、(b)のようにアンペールの法則を使用できます。

まず、穴の無い場合は

(6)B1=Jπr2μ02πr=μ0J2x2+y2

次に、穴のある部分について、y=ydとすれば良いので

(7)B2=μ0J2x2+(yd)2

これより、求める磁場は、B1,B2を足し合わせると良いので

(8)B=μ0J2(x2+y2x2+(yd)2)

最後に

本記事で磁界計算の基本を紹介しました。問題集にて、難しめの問題を経験すると良いと思います。

参考文献

詳解電磁気学演習 P243:後藤 憲一(著)、山崎 修一郎(著)

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