東京大学 【東京大学大学院】電気系専攻 第2問の傾向と対策
はじめに本記事は、有名大学の院試解答を2年半執筆してきた管理人が作成しています。東大の第2問は、電気回路で構成されています。傾向と対策方針を紹介します。
東大 電気系専攻 院試の全体 下記の試験科目6題から2題を選択し、解答します。2題合わせて150分と、時間にゆとりがあります。
2024-02
東京大学 
東京大学 【東京大学大学院】電気系専攻 第1問の傾向と対策
はじめに
本記事は、有名大学の院試解答を2年半執筆してきた管理人が作成しています。東大の第6問は、電磁気学で構成されています。傾向と対策方針を紹介します。東大 電気系専攻 院試の全体
下記の試験科目6題から2題を選択し、解答します。2題合わせて150分と、時間にゆとりがあります。
東京大学 【東京大学大学院】電気系専攻 第6問の傾向と対策
本記事は、有名大学の院試解答を2年半執筆してきた管理人が作成しています。東大の第6問は、古典制御と電気エネルギー工学で構成されています。それぞれの傾向と対策方針を紹介します。東大 電気系専攻 院試の全体
東京大学 【東京大学大学院】電気系専攻 第4問の傾向と対策
本記事は、有名大学の院試解答を2年半執筆してきた管理人が作成しています。東大の第4問は、論理回路とアルゴリズム論で構成されています。それぞれの傾向と対策方針を紹介します。
電気 ビオサバールの法則の計算、アンペールの法則の適用可能条件
(1)下記のように、半直線\(C_{1},C_{3}\)と半円\(C_{2}\)に電流が流れている。半円の中心軸上の磁束密度\(B\)を求めよ。(2)下記の導体で、アンペールの法則を適用できる条件はどれか。全て答えよ。
(a) 半径aの円環電流(b) 半径a、半径bの無限長導体に挟まれている点P(c) 内半径a、外半径b、高さ1、巻き数Nの環状ソレノイド
半導体デバイス ショットキー接合、オーミック接合のバンド図
金属と半導体接合時に見られる現象です。両者の持つ仕事関数の大小関係により、整流性を示すか、オーム抵抗のように働くか決まります。
バンド図の大小関係により、この現象を説明することができます。
電気 異なる誘電体、磁性体の電場、磁場の境界条件
電場\(E\)と磁場\(H\)は、異なる媒質間の接線成分で連続。
電束密度\(D\)と磁束密度\(B\)は、異なる媒質間の垂直成分で連続。
円周方向に平行な媒質のとき、電束密度\(D\)と磁場\(H\)が連続であることを利用する。
円周方向に垂直な媒質のとき、電場\(E\)と磁束密度\(B\)が連続であることを利用する。
情報 桁上げ先見加算器、保存加算器の性質
加算器の回路設計は、院試頻出分野です。全加算器を使用し、桁上げ伝搬加算器を作成することが多いですが、計算時間が長い課題があります。そこで、伝搬加算器を改良した先見加算器、保存加算器が出題されることがあります。少し難しいですが、是非マスターして得点源になれば幸いです。
数学 演算子法を用いた微分方程式の例題
微分方程式を演算子を用いて解きます。\(y'=e^{ax}\)と置いて解く方法が一般的ですが、他サイト様で多数取り扱っています。そこで、本サイトでは、あえて演算子を使うことで解いてみます。試験本番では、解きやすい方法で解くことをオススメします。
数学 【重積分】極座標変換できない文字が入った3重積分
下記の積分値を求めよ。ただし、\((a>0,b>0)\)とする。積分領域は式(2)で与えられる。\begin{eqnarray}V(t)=\int _{V}\dfrac{dV}{\sqrt{\left( x-b\right) ^{2}+y^...